2025武漢芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展覽會華中電子展：芯光閃耀，引領(lǐng)半導(dǎo)體新征程

2025 年 10 月 15 - 18 日，武漢國際博覽中心將迎來一場聚焦芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛會 ——2025 武漢芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展覽會華中電子展。本次展會緊扣行業(yè)前沿，展示范圍涵蓋多個關(guān)鍵領(lǐng)域，為芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建起絕佳的交流合作平臺，助力行業(yè)蓬勃發(fā)展。

芯片展示范圍

處理器芯片

處理器芯片作為電子產(chǎn)品的 “大腦”，無疑是展會的焦點之一。高性能的中央處理器（CPU）將亮相，無論是應(yīng)用于個人電腦的桌面級 CPU，憑借強大的運算能力和多線程處理能力，保障復(fù)雜軟件和多任務(wù)運行的流暢性；還是用于智能手機等移動設(shè)備的移動端 CPU，在兼顧低功耗的同時，能快速響應(yīng)各類操作指令，滿足人們隨時隨地高效使用設(shè)備的需求。

圖形處理器（GPU）同樣備受矚目，其專為圖形處理和并行計算而設(shè)計，在電腦游戲、專業(yè)圖形設(shè)計、人工智能訓(xùn)練等對圖像渲染和數(shù)據(jù)運算要求極高的領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用，展示其卓越的浮點運算性能和高速的數(shù)據(jù)處理速度，讓參觀者直觀感受到其強大的圖形處理魅力。

存儲芯片

存儲芯片關(guān)乎著數(shù)據(jù)的 “棲身之所”，在展會上也將呈現(xiàn)豐富的類型。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）以其讀寫速度快、成本相對較低的特點，廣泛應(yīng)用于電腦內(nèi)存等領(lǐng)域，滿足系統(tǒng)快速存取數(shù)據(jù)的需求。而閃存芯片（Flash Memory）中的固態(tài)硬盤（SSD）主控芯片更是亮點所在，它能實現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)讀寫，配合閃存顆粒，讓固態(tài)硬盤在存儲容量不斷提升的同時，讀寫性能遠超傳統(tǒng)機械硬盤，在個人電腦、服務(wù)器以及各類數(shù)據(jù)存儲中心有著大量應(yīng)用，為數(shù)據(jù)的安全、快速存儲保駕護航。

傳感器芯片

傳感器芯片宛如電子設(shè)備的 “觸角”，能夠敏銳感知外界環(huán)境變化。比如，圖像傳感器芯片能將光信號轉(zhuǎn)化為電信號，憑借高像素、高感光度等特性，廣泛應(yīng)用于手機攝像頭、安防監(jiān)控攝像頭等，捕捉清晰、細膩的圖像畫面。還有加速度傳感器芯片、陀螺儀芯片等，在智能手機、智能穿戴設(shè)備中用于檢測設(shè)備的運動狀態(tài)、姿態(tài)變化，實現(xiàn)屏幕自動旋轉(zhuǎn)、步數(shù)統(tǒng)計等功能，為智能設(shè)備的交互體驗提供有力支撐。

半導(dǎo)體材料展示范圍

硅材料

硅作為最主要的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料，有著舉足輕重的地位。高純度的單晶硅片將展示其近乎完美的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電學(xué)性能，是制造各類芯片的關(guān)鍵襯底材料，從普通的消費級芯片到高端的集成電路芯片，都離不開它的支撐。同時，還會呈現(xiàn)硅材料在不同工藝制程下的應(yīng)用，如通過光刻、蝕刻等工藝在硅片上構(gòu)建復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)，體現(xiàn)其作為半導(dǎo)體基石的重要性和可塑性。

化合物半導(dǎo)體材料

化合物半導(dǎo)體材料則為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來更多拓展空間。氮化鎵（GaN）材料憑借其寬禁帶、高電子遷移率等特點，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域大放異彩，尤其適用于制造高效的功率放大器、電源開關(guān)等器件，顯著提升電能轉(zhuǎn)換效率，在快充充電器、5G 基站等設(shè)備中應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）材料同樣以其高硬度、高熱導(dǎo)率和高擊穿電場強度等優(yōu)勢，在高溫、高壓、高功率的應(yīng)用場景下表現(xiàn)出色，比如應(yīng)用于電動汽車的功率模塊，助力提升整車的性能和續(xù)航能力，展現(xiàn)出化合物半導(dǎo)體獨特的應(yīng)用價值。

半導(dǎo)體制造設(shè)備展示范圍

光刻設(shè)備

光刻設(shè)備堪稱半導(dǎo)體制造的 “精密畫筆”，是芯片制程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。極紫外光刻（EUV）設(shè)備將展示其超短波長的光源技術(shù)以及超高的分辨率，能夠在晶圓上刻畫出極小的電路圖案，助力芯片制程向更先進的納米級別邁進，決定著高端芯片能否實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，盡管其技術(shù)復(fù)雜、造價高昂，但卻是推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高性能發(fā)展的核心力量。

刻蝕設(shè)備

刻蝕設(shè)備則如同 “雕刻刀”，負(fù)責(zé)將光刻后的圖形精確地轉(zhuǎn)移到晶圓上，去除不需要的半導(dǎo)體材料。等離子體刻蝕設(shè)備通過產(chǎn)生高能等離子體，對特定區(qū)域的材料進行精準(zhǔn)刻蝕，實現(xiàn)芯片內(nèi)部復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)構(gòu)建，在提高芯片集成度、優(yōu)化性能方面起著不可或缺的作用，其刻蝕的精度、均勻性以及對不同材料的選擇性等技術(shù)指標(biāo)將在展會上充分展現(xiàn)。

組委會：李凱 安娜 177 4355 0392 177 4355 1560

V :expo-Mrli V: EXPO-ANNA

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薄膜沉積設(shè)備

薄膜沉積設(shè)備負(fù)責(zé)在晶圓表面沉積各種薄膜材料，為芯片制造構(gòu)建功能各異的 “保護層” 和 “功能層”?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備利用化學(xué)反應(yīng)在高溫、真空等條件下，將氣態(tài)的前驅(qū)體材料沉積到晶圓表面，形成如絕緣層、金屬連線層等薄膜；物理氣相沉積（PVD）設(shè)備則通過物理手段，如蒸發(fā)、濺射等，實現(xiàn)金屬薄膜的沉積，滿足芯片不同功能區(qū)域?qū)τ趯?dǎo)電、絕緣等性能的要求，保障芯片結(jié)構(gòu)的完整性和功能的穩(wěn)定性。

半導(dǎo)體封裝測試展示范圍

封裝技術(shù)

半導(dǎo)體封裝技術(shù)旨在保護芯片并實現(xiàn)芯片與外部電路的良好連接。先進的倒裝芯片封裝（Flip Chip）技術(shù)將展示其通過將芯片的有源面直接與基板連接，減少了信號傳輸延遲，提高了散熱性能，廣泛應(yīng)用于高性能芯片封裝中。同時，系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)也備受關(guān)注，它能將多個不同功能的芯片、無源元件等集成在一個封裝體內(nèi)，實現(xiàn)更小的封裝尺寸和更強大的功能集成，在智能手機、可穿戴設(shè)備等對空間和性能要求苛刻的產(chǎn)品中發(fā)揮重要作用，展現(xiàn)出封裝技術(shù)對于提升芯片應(yīng)用價值的重要意義。

測試設(shè)備

為確保芯片的質(zhì)量和性能符合要求，測試設(shè)備必不可少。自動測試設(shè)備（ATE）將展示其強大的功能，可對芯片的電氣性能、功能完整性等進行全面檢測，模擬各種實際工作環(huán)境，檢測芯片在不同條件下是否能正常工作，快速篩選出不合格產(chǎn)品，保障流入市場的芯片具備可靠的品質(zhì)，為整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展把好最后一道關(guān)。

本次展覽會將匯聚眾多芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的前沿成果，誠邀各界人士屆時前來參觀交流，共同推動華中地區(qū)乃至全國芯片及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，為我國電子信息產(chǎn)業(yè)的騰飛注入強大動力。